Si4464/63/61/60
Table 17. Package Dimensions
Dimension
A
A1
A3
b
D
D2
e
E
E2
L
aaa
bbb
ccc
ddd
eee
Min
0.80
0.00
0.18
2.45
2.45
0.30
Nom
0.85
0.02
0.20 REF
0.25
4.00 BSC
2.60
0.50 BSC
4.00 BSC
2.60
0.40
0.15
0.15
0.10
0.10
0.08
Max
0.90
0.05
0.30
2.75
2.75
0.50
Notes:
1. All dimensions are shown in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to the JEDEC Solid State Outline MO-220,
Variation VGGD-8.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C
specification for Small Body Components.
50
Rev 1.2
相关PDF资料
SI4465ADY-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 13.7A 8SOIC
SI4466DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC
SI4470EY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC
SI4472DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
SI4477DY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4483EDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4484EY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
SI4488DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4463-915-PDK 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:KIT DEV WIRELESS SI4463 915MHZ
Si4463-B0B-FM 功能描述:射频收发器 TRX ROM 63 EZRadioPRO RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
Si4463-B0B-FMR 功能描述:射频收发器 TRX ROM 63 EZRadioPRO RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
SI4463B1BFM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
Si4463-B1B-FM 功能描述:射频收发器 TRX RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
Si4463-B1B-FMR 功能描述:射频收发器 TRX RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray
SI4463BDY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4463BDY-E3 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET